○プロセスガスによるグラフェンの単層及び多層グラフェンの作り分けの研究

実際に作製したトランジスタの顕微鏡写真

Niを熱窒化することで新しいワイドギャップ半導体を作製しています。

その他
・水素濃度の最適化

この薄膜をバックゲート型のトランジスタにすると約160cm2/Vsの移動度を示すことが明らかになっている

XRD測定においてこの薄膜はNiOとNi3Nで形成されている

アセチレンと窒素の割合を変化させることで面内で均一なグラフェンを作り事に成功しています

水素ガスと窒素の割合と全体の流量を精密に制御することで単層と多層のグラフェンの作り分けに成功しています。

UV-visにおいて3.3eVのバンドギャップがあることを発見

○新規ワイドギャップ半導体に関する研究

確立された合成条件でトランジスタを作製しグラフェン特有の両極性のトランジスタの作製に成功しています