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卒業年度	名前	卒論タイトル	卒業後の進路
26年	松原	プロセスガスによる単層/多層グラフェンの作り分け技術（専攻科卒）	神戸市
26年	佐々木	Niの熱窒化によるNi窒化物半導体の作製とトランジスタ応用	日立製作所
26年	溝内	Niメタルソースドレイン型TFTのゲート長依存性	パナソニック
25年	上田	グラフェンのデバイス化のためのエッチング条件の研究	日立ビルシステム
25年	藤原	欠陥低減を目指したグラフェン合成条件の検討と評価	JPハイテック
25年	小林	N2中で熱処理したNiメタルソースドレイン型TFTの時間依存性	パナソニック
25年	篠田	MRAM応用に向けたFe2-XTiXO3磁性薄膜の研究	神戸市
24年	吉祥	N2中で熱処理したNiメタルソースドレイン型TFTの作製と評価	タクマ
24年	三戸口	Fe2-XTiXO3磁性薄膜における原子の秩序性の評価	進学
24年	村上	ZnO-TFTの作製に向けた現像プロセスの解析と性能評価	岡山大学
23年	松江	・三次元基板を用いた低温poly-Si TFTメモリの研究（専攻科卒）	大阪大学
23年	別宮	ゾルゲル法をもちいたZnO-TFTの特性評価	P＆G
23年	内藤	ソースドレインにNiシリサイドを用いた低温ポリシリコンTFTの研究	バンドー化学
22年	坂東	カーボンナノチューブを用いたメモリ応用の研究	ヤクルト
22年	宇田	高性能MOSFETに向けた高誘電率薄膜の研究	IHI回転機械
22年	小牧	ZnO-FETの作製に向けたチャネル層の研究	東京電力
22年	藤井	MRAM作製に向けたエッチング条件の研究	グリコ兵庫アイスクリーム
21年	井上	半導体を用いた多層膜干渉による構造色の作製	大阪ガス
20年	谷	液晶ディスプレイ用薄膜トランジスタ作製プロセスの研究	長岡技術科学大学
20年	重松	カーボンナノチューブのトランジスタ応用に関する研究	川崎重工

学年	名前	研究テーマ	5年卒業後の進路（内定）
教員	市川	すべて
5年	小野	高速デバイス作製に向けたグラフェンの成膜条件の研究	進学決定
5年	松本	新規窒化物ワイドギャップ半導体の作製と評価	就職決定
5年	椿野	グラフェントランジスタによる高速デバイスの研究	就職決定
4年	上玉利		進学希望
4年	谷川		進学希望
4年	堀谷		進学希望