科 目 | 光エレクトロニクス ( Optoelectronics ) | |||
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担当教員 | 林 昭博 教授 | |||
対象学年等 | 電子工学科・5年・後期・選択・2単位 ( 学修単位II ) | |||
学習・ 教育目標 |
A4-D2(100%) | |||
JABEE 基準1(1) |
(d)1,(d)2-a,(d)2-d,(g) | |||
授業の概要 と方針 |
光の増幅,レーザの発振条件,レーザの発振モード,ガウスビーム波・偏光・干渉とコヒーレンスなどの光の性質,および各種レーザの構造・発振原理・特徴等を理解し,光エレクトロニクスの基礎を修得する. | |||
到 達 目 標 |
1 | 【A4-D2】 レーザの発振原理およびレーザ光の基本的な性質を理解し,説明できる. | ||
2 | 【A4-D2】 各種レーザの構造,エネルギー準位,発振原理,特徴等を理解し,説明できる. | |||
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評 価 方 法 と 基 準 |
到 達 目 標 毎 |
1 | 光の増幅とレーザの発振条件,光共振器とレーザの発振モード,光の波動パラメータ,ガウスビーム波,偏光,干渉とコヒーレンス等の理解度を中間試験とレポートにより評価する. | |
2 | 気体レーザ,液体レーザ,固体レーザ,半導体レーザの構造,エネルギー準位と反転分布の形成法,特徴等の理解度を定期試験とレポートにより評価する. | |||
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総 合 評 価 |
成績は,試験90% レポート10% として評価する.なお,試験成績は,中間試験と定期試験の平均点とする.100点満点で60点以上を合格とする. | |||
テキスト | 「光電子工学入門」:林 昭博 編著(槇書店) |
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参考書 | 「光エレクトロニクス入門」:福光於莵三 著(昭晃堂) |
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関連科目 | 半導体工学(本科4年),光波電子工学(専攻科1年) | |||
履修上の 注意事項 |
週 | 上段:テーマ/下段:内容(目標、準備など) |
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1 | ガイダンスおよび光波 |
授業の進め方,到達目標と評価方法などを説明する.また,電磁波としての光波の位置付けと電磁波発生デバイスを理解する. | |
2 | 光の波動パラメータ,光の誘導放出 |
光の空間伝搬における波動としてのパラメータを理解する.また,光の放出と吸収過程として自然放出,誘導吸収,誘導放出を理解する. | |
3 | 光の増幅,3準位レーザと4準位レーザ |
2準位系における伝搬による光強度の変化を求め,光の増幅条件としての反転分布を理解する.また,反転分布の実現法としての3準位レーザと4準位レーザを学習し,3準位レーザと4準位レーザにおけるエネルギー準位の役割を理解する. | |
4 | レーザ発振器とレーザの発振条件,ファブリ・ペロー共振器 |
レーザ発振器の構成を理解し,レーザの発振条件を求める.また,光共振器としてのファブリ・ペロー共振器の共振特性を求める. | |
5 | レーザの発振モード,ガウスビーム波 |
ファブリ・ペロー共振器の共振特性よりレーザの発振モードを考察し,レーザ発振における縦モードと横モードの意味を理解する.また,レーザ発振器から得られる光であるガウスビーム波の基本モードの電界分布とスポットサイズを理解する. | |
6 | 偏光,光の干渉(1) |
光の電界ベクトルの振動方向によって決まる直線偏光,円偏光,だ円偏光を理解する.また,ヤングの干渉実験を例にして光の干渉を考える. | |
7 | 光の干渉(2),コヒーレンス |
光の干渉により生じる干渉縞の強度変化を求める.また,干渉のしやすさを表す時間的コヒーレンスと空間的コヒーレンスを理解する. | |
8 | 中間試験 |
中間試験までの授業内容に関する試験を行う.出題方針は試験前に通知する. | |
9 | 中間試験解答,気体レーザ(1) |
中間試験の結果を確認する.また,He-Neレーザの構造,エネルギー準位と反転分布の形成法,発振波長,特徴,用途などを理解する. | |
10 | 気体レーザ(2) |
P偏光・S偏光とブルースタの法則を学習し,He-Neレーザにおけるブルースタ窓の働きを理解する.また,アルゴンレーザの構造,発振波長,特徴,用途などを理解する. | |
11 | 気体レーザ(3),液体レーザ |
炭酸ガスレーザの構造,炭酸ガス分子の振動モード,エネルギー準位と反転分布の形成法,発振波長,特徴,用途などを理解する.また,液体レーザである色素レーザのエネルギー準位の特徴,波長可変レーザの構成法を理解する. | |
12 | 固体レーザ |
固体レーザであるルビーレーザの構造,エネルギー準位と反転分布の形成法,発振波長,およびYAGレーザの構造,特徴,用途などを理解する.また,固体レーザから単一の大出力パルスを取り出すQスイッチ法を理解する. | |
13 | 半導体レーザ(1) |
半導体レーザを理解する上での基礎となる半導体のバンド構造と発光,直接遷移と間接遷移,化合物半導体の発光波長と屈折率分布,活性層などを理解する. | |
14 | 半導体レーザ(2) |
二重ヘテロ接合半導体レーザの構造,エネルギー準位,屈折率分布などを学習し,ヘテロ接合の形成,キャリヤの閉じ込め効果,光波の閉じ込め効果,光共振器,ストライプ構造,レーザ発振,出力特性とスロープ効率などを理解する. | |
15 | レーザ応用技術 |
半導体レーザを中心としたレーザ応用技術を理解する. | |
備 考 |
後期中間試験および後期定期試験を実施する. |